N 摻雜ZnO薄膜的接觸特性

氧化鋅(ZnO)是一種直接帶隙半導體材料,室溫下帶隙為3.37 eV,激子束縛能為60 meV.ZnO因其優越的光電特性在高亮度藍紫光發光器件、紫外探測器件和短波長激子型激光器等方面具有廣闊的應用前景.而要實現大功率的光電器件,穩定可靠的歐姆接觸是必需的.研究了氮氣氛條件下,不同溫度快速退火對氮摻雜ZnO樣品的電學性質以及Ni/Au與其接觸特性的影響.原生樣品表現為弱的肖特基接觸,適當溫度退火后,由肖特基轉成了歐姆接觸, 650 ℃退火后得到最小比接觸電阻率8×10-4 Ω·cm2.霍爾測量表明550 ℃快速退火后,樣品的導電類型由p型轉變成了n型.采用AES和GXRD分別研究了不同退火溫度下Au、Ni、Zn、O的深度分布變化及退火后所生成的合金相.實驗結果表明,退火所導致的薄膜電學性質的變化以及界面態和表面態的增加是接觸特性變化的原因.

作 者： 單正平 顧書林 朱順明 劉偉 劉少波 劉雪冬 湯琨 張榮 鄭有炓 SHAN Zheng-ping GU Shu-lin ZHU Shun-ming LIU Wei LIU Shao-bo LIU Xue-dong TANG Kun ZHANG Rong ZHENG You-liao   作者單位： 南京大學物理系,江蘇省光電信息功能材料重點實驗室,江蘇,南京,210093  刊 名： 發光學報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2008 29(3)  分類號： O482.31  關鍵詞： N'摻雜ZnO   Ni/Au   快速退火   歐姆接觸  

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